赵时璐
,
张震
,
张钧
,
王建明
,
张正贵
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00522
采用多弧离子镀技术, 使用Ti-Al-Zr合金靶及Cr单质靶的组合方式, 在W18Cr4V高速钢基体上制备TiAlZrCr/(Ti, Al, Zr, Cr)N四元梯度氮化物膜. 利用SEM和XRD分析梯度膜的微观组织和结构, 使用摩擦磨损试验机研究梯度膜在室温(15 ℃)和高温(500 ℃)下的耐磨损特性, 并采用SEM观察磨痕形貌. 结果表明, 在不同沉积偏压下制备的四元梯度膜均具有fcc-NaCl型的TiN结构, 其组织致密均匀, 呈典型的柱状晶形态. 梯度膜的摩擦磨损机理是以塑性变形为主要特征的黏着磨损, 并伴有轻微的磨粒磨损. 在室温和高温下磨损时的平均摩擦系数分别在0.25~0.30和0.30~0.35之间, 且当沉积偏压增加至-200 V时, 梯度膜的耐磨损性能实现最优化.
关键词:
TiAlZrCr/(Ti
,
Al
,
Zr
,
Cr)N梯度膜
,
多弧离子镀
,
偏压
,
显微结构
,
耐磨损性能
谷文翠
,
李寿德
,
王怀勇
,
陈春立
,
李朋
,
黄峰
航空材料学报
doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2014.5.006
为了提高TiB2涂层的致密性,采用磁控溅射技术,通过改变基片偏压,获得了floating,-30V,-90V三种偏压状态的涂层.利用XRD,SEM、纳米压痕仪、Vickers显微硬度仪和摩擦磨损试验机对涂层的结构和性能进行了分析.结果表明:所有制备涂层只存在六方结构TiB2相,偏压为floating状态时制备的涂层表现出疏松的柱状生长结构,硬度为15GPa.随偏压增大,涂层柱状结构变致密甚至消失,硬度和耐磨损性能都得到提高.偏压-30V提高到-90V,相对于floating状态制备的涂层,晶粒尺寸增加了一倍,达到21nm;柱状结构变致密最终消除;硬度从35.5GPa提高到61.9GPa,实现了超硬;同时耐磨损性能提高,使用摩擦副为直径6mm的Al2O3球进行干摩擦实验时,-90V制备的涂层磨损率为5.6×10-16m3/Nm,相对于-30V涂层降低了一个数量级.
关键词:
TiB2涂层
,
磁控溅射
,
偏压
,
摩擦磨损
马瑞新
,
李士娜
,
锁国权
,
任磊
材料科学与工艺
为明确溅射偏压对ITO薄膜性质的影响,用射频磁控溅射法于室温在玻璃衬底制备出ITO透明导电薄膜,研究了不同偏压下ITO薄膜的生长模式、光学和电学性能.结果表明：随着偏压的增加,薄膜沉积模式经历了沉积、沉积和扩散、表面脱附3种方式;AFM和SEM显示,偏压为100 V时,膜层表面光洁、均匀,粗糙度最小,均方根粗糙度为1.61 nm;XRD分析表明偏压会影响与薄膜的择优取向,偏压为100 V时,薄膜晶粒取向为（222）面;薄膜偏压为120 V时,薄膜的光电性能最佳,电阻率最低为2.59×10-4Ω.cm,可见光区的平均透过率在85%以上;偏压的大小使薄膜的吸收边发生了＂蓝移＂或＂红移＂.
关键词:
ITO薄膜
,
偏压
,
生长模式
,
微观结构
,
光电性能
李忠厚
,
宫学博
,
郭腾腾
,
马芹芹
,
杨迪
表面技术
目的：探讨基片偏压对镁合金Ti/TiN膜层质量的影响。方法利用多弧离子镀技术,在不同偏压条件下,对镁合金先镀Ti再镀TiN,通过SEM观察膜层形貌,通过划痕测定膜基结合性能,通过电化学工作站对比AZ31镁合金与不同偏压镀膜试样的耐蚀性。结果偏压为200 V时,TiN膜层致密均匀且成膜速度快,膜层耐蚀性最好；偏压为200 V时,基体结合最好且膜层较厚,有较好的耐蚀性。结论镀Ti 膜时的偏压对随后镀TiN的质量有着显著的影响,以200 V偏压的工艺镀TiN膜层质量最好,膜层致密,成膜速度快,耐蚀性优良。
关键词:
镁合金AZ31
,
偏压
,
多弧离子镀
,
Ti/TiN膜层质量
付朝丽
,
杨勇
,
马云峰
,
魏玉全
,
焦正
,
黄政仁
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160170
探究HfO2薄膜的激光损伤特性以进一步提高激光损伤阈值(Laser Induced Damage Threshold,简称LIDT),对其在高功率激光系统中的广泛应用具有重要的意义.在不同的离子源偏压下,采用等离子体辅助电子束蒸发金属铪(Hf)并充氧(O2)进行反应沉积法制备了中心波长为1064 nm,光学厚度为4H的HfO2薄膜样品.测试了薄膜组分和残余应力;根据透射谱拟合了薄膜的折射率;通过XRD谱图和SEM表面形貌图分析了薄膜的微观结构;对激光损伤阈值、损伤特性和机理进行了论述.结果表明:偏压100 V时制备的薄膜具有最佳O/H-f配比;薄膜压应力和折射率均随偏压降低而减小.薄膜内存在结晶,激光能量在晶界缺陷处被强烈聚集和吸收,加速了膜层的破坏,形成由几百纳米的烧灼坑聚集而成的海绵状损伤结构.随着偏压降低,膜结晶取向由((1)11)晶面向(002)晶面转变,界面能降低;晶粒减小,结构更均匀,缓解了激光能量在晶界处的局部聚集与吸收,表现出较大的激光损伤阈值.
关键词:
HfO2薄膜
,
等离子体辅助电子束蒸发
,
离子源偏压
,
微观结构
,
激光损伤
孙钢杰
,
伊福廷
,
王焕华
,
贾全杰
,
张天冲
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2016.07.001
利用磁控溅射技术,在不同偏压条件下在Si(001)基底上沉积了金属Cr薄膜样品.用同步辐射装置对样品进行了X-射线反射率测试,采用X-射线反射率分析法研究了不同偏压下Cr薄膜密度的变化.发现当偏压小于300V时,偏压对所沉积的薄膜起到紧致的效果,偏压为300V时薄膜密度最大;当偏压大于300V时,薄膜密度减小.另外,为了探究偏压对薄膜表面形貌的影响,用扫描电子显微镜对各样品进行了表面分析,发现在偏压较小时薄膜表面较为平整;随着偏压增大,表面呈现界面分明的岛状分布.
关键词:
X-射线反射率分析
,
铬薄膜
,
密度
,
表面形貌
,
磁控溅射
,
偏压
刘金龙
,
郭旗
,
任占梅
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132806.0833
研究了带偏置电压的向列相液晶盒结构中在激光脉冲作用下的分子转动动力学模型.结果表明,入射光脉冲的宽度远大于1 ps时,光脉冲诱导液晶分子重取向过程可用德拜弛豫过程描述.弛豫时间常数与液晶盒厚度的平方成正比,和液晶的弹性常数成反正.弛豫时间常数依赖于液晶横向位置,预偏角的范围在0～0.4 rad之间变化时,不同位置的时间常数相差较大,可在一个量级之间变化;预偏角在0.4～π/2 rad时,时间常数基本不变.弛豫时间常数还受偏置电压控制,1.2～10 V偏置电压时液晶盒中心处的弛豫时间常数在10 ms～10 s变化,变化范围可达3个数量级.
关键词:
平行排列
,
重取向弛豫时间
,
偏置电压
